Description
Samsung MZ-V9P1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD) 1000 Go, Facteur de forme SSD M.2, Vitesse de lecture 7450 Mo/s, Vitesse d’écriture 6900 Mo/s, composant pour PC
Caractéristiques
Facteur de forme SSD
M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Interface
PCI Express 4.0
Type de mémoire
V-NAND MLC
NVMe
Oui
Version NVMe
2.0
composant pour
PC
Le chiffrement matériel
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Vitesse de lecture
7450 Mo/s
Vitesse d’écriture
6900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1550000 IOPS
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement
3.3 V
Consommation (max)
7.8 W
Consommation d’énergie (moyenne)
5.4 W
Conditions environnementales
Température d’opération
0 – 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Poids et dimensions
Largeur
80 mm
Profondeur
8.2 mm
Hauteur
24.3 mm
Poids
28 g
