Description
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Hynix D
Kingston Technology KSM26SES8/8HD. composant pour Ordinateur portable, Mémoire interne 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 8 Go, Type de mémoire interne DDR4, Fréquence de la mémoire 2666 MHz, Support de mémoire 260-pin SO-DIMM, Latence CAS 21, ECC
Caractéristiques
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Mémoire interne
8 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 8 Go
Type de mémoire interne
DDR4
Fréquence de la mémoire
2666 MHz
composant pour
Ordinateur portable
Support de mémoire
260-pin SO-DIMM
ECC
Oui
Latence CAS
21
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.2 V
Profil SPD
Oui
Conditions environnementales
Température d’opération
0 – 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 – 100 °C
Poids et dimensions
Largeur
69.6 mm
Hauteur
30 mm
Détails techniques
Certificats de durabilité
RoHS
