Description

Caractéristiques

identification automatique des composants
identification automatique des broches de connexion
identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
extinction automatique et manuel

Spécifications

courant crête de court-circuit coupé: -5.5mA ~ 5.5mA
tension crête de court-circuit permanent: -5.1V ~ 5.1V
transistor:
plage de gain (HFE): 4 ~ 65000
précision de gain: ±3% ±5 Hfe
tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0V ~ 3.0V
précision de tension base-émetteur VBE: -2%-20mV ~ +2%+20mV
tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V)
seuil de résistance shunt base-émetteur: 50kOhm ~ 70kOhm
courant de collecteur BJT: 2.45mA ~ 2.55mA
courant de fuite acceptable BJT: 0.7mA
MOSFET:
plage de tension de grille-source: 0.1V ~ 5.0V
précision de seuil: -2%-20mV ~ +2%+20mV
courant drain: 2.45mA ~ 255mA
résistance de grille: 8kOhm
courant du drain d’appauvrissement: 4.5mA
courants drain-source JFET: 0.5mA ~ 5.5mA
thyristor/Triac:
courant de grille: 4.5mA
courant de maintien: 5.0mA
diode:
courant de test: 5.0mA
précision de tension: -2%-20mV ~ +2%+20mV
tension directe pour identification LED: 1.50V ~ 4.00V
seuil de court-circuit: 10Ohm
batterie:
type: MN21 / L1028 / GP23A 12V alkaline
plage de tension: 7.50V ~ 12V
seuil d’alarme: 8.25V
dimensions: 103x70x20mm