Description
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD) 2000 Go, Facteur de forme SSD M.2, Vitesse de lecture 7000 Mo/s, Vitesse d’écriture 5100 Mo/s, composant pour PC/ordinateur portable
Caractéristiques
Facteur de forme SSD
M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2000 Go
Interface
PCI Express 4.0
Type de mémoire
V-NAND MLC
NVMe
Oui
Version NVMe
1.3c
composant pour
PC/ordinateur portable
Le chiffrement matériel
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Vitesse de lecture
7000 Mo/s
Vitesse d’écriture
5100 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1000000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1000000 IOPS
Flux de données d’interface PCI Express
x4
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement
3.3 V
Consommation (max)
7.2 W
Consommation d’énergie (moyenne)
6.1 W
Consommation d’énergie (mode veille)
0.035 W
Conditions environnementales
Température d’opération
0 – 70 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Poids et dimensions
Largeur
80.2 mm
Profondeur
2.38 mm
Hauteur
22.1 mm
Poids
9 g
Informations sur l’emballage
Type d’emballage
Boîte
